irf630场效应管参数(irf630散热片测量电路图)

　　开关电源

　　在科技日新月异的时代里，人们对电子产品的需求量飞速膨胀，而电源是电子设备的心脏，所以日益增长的市场需求量极大地推动了电源管理产品的发展进程。在电源管理类产品中，开关电源（Switching power supply）凭借其70%~90%的电源效率，得到了市场的广泛关注，被市场证明了其具有高效性和节能性。开关电源是一种以半导体功率器件为开关，控制功率管关断开启时间的比率来保证稳定输出直流电压的电源。在电机控制电路系统中，除了核心主控制电路外，最重要的就是开关电源电路了。

　　2017年，Li Guo Hong和Chen Hua Yu设计了一种适用于电机控制、带有IGBT设计驱动的开关电源，将直流低压供电电路和IGBT栅极驱动电路相结合，各电源相互隔离，输出能力为5V/1A、15V/0.4A、±12V/0.5A、3路25V/0.1A、25V/0.3A。

　　在电路设计中，由于变压器的电气间隙、体积及绕组数量的条件限制，系统采用一级电源电路+二级电源电路的设计方式——虽然变压器整体数量有所上升，但是也提高了整个系统的可靠性，同时伴随着电路输出稳定性和电器隔离安全性的增加。

　　整体电路主要参数及主要的电路图

　　输入电压AC 220V市电

　　整流桥GBP206，600V/2A

　　整流滤波电容KMH，450V/100μF

　　栅极驱动隔离光耦芯片TLP250

　　一级电源电路——反激式转换器

　　UC2844:电流型PWM控制芯片

　　振荡频率：93kHz

　　最大开关电流≤2A

　　MOS管：900V，9A

　　二级电源电路——推挽式转换器

　　SG3525:电压型PWM控制芯片

　　振荡频率：86kHz

　　MOS管：200V，9A

　　高频变压器：EE33型磁芯

　　一次绕组：N=75匝，线径d=0.45mm

　　二次绕组：

　　1.输出15V：N=10匝，d=1.22mm

　　2.输出35V：N=22匝，d=0.81mm

　　3.输出±12V：N=8匝，d=1.36mm

　　4.输出5V：N=3匝，d=1.98mm

　　5.反馈绕组输出16V：N=10匝，d=1.27mm

　　气隙长度：δ=0.074cm

　　【一级电源电路的初级侧电路图】

　　一级电源电路采用反激式结构，可以实现多路隔离输出。高性能固定频率的电流型PWM控制芯片UC2844，通过2个150kΩ的启动电阻接入高压直流电源，和电容C61组成启动时的供电电路。反激式开关电源中所选用的MOSFET需要能承受的最大电压需要是电路中最大电压的1.2~1.4倍，所以，这里可以选用VBsemi微碧半导体的NMOS管VBPB19R09S，击穿电压为Vds=900V，耐流为Id=9A。

　　可选择的VBsemi微碧场效应管型号：

　　①VBPB19R09S

　　②VBE19R09S

　　③VBL19R09S

　　④VBM19R09S

　　【适用的VBsemi微碧半导体MOS管参数】

　　【二级电源电路图（次级输出的其中一路）】

　　二级电源电路采用推挽式结构，使用的电压型PWM控制芯片具有两路互补输出，通过对地接了一块1μF的电容来实现软启动过程。推挽式开关电源的场效应管留出裕量后，击穿电压应该比电路最大电压大30%~50%，所以可以选用VBsemi微碧半导体的NMOS管IRF630P，击穿电压为Vds=200V,耐流为Id=10A。

　　可选择的VBsemi微碧场效应管型号：

　　①IRF630P

　　②IRF630MFP

　　③VBM1203M

　　④VBMB1203M

　　⑤VBZM630

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